东莞整 流器价格优惠

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广东双核电气有限公司是国内专业从事 大功率直流电源、节能高频开关电源,节能整流器、充电电源、测试电源、蓄电池充电器、工业冷冻设备等产品研发、生产、销售的高新技术企业,公司注册资金一千万元。公司目前主要生产:大功率整流装置、大功率直流电源、

广东双核电气有限公司是国内专业从事 大功率直流电源、节能高频开关电源,节能整流器、充电电源、测试电源、蓄电池充电器、工业冷冻设备等产品研发、生产、销售的高新技术企业,公司注册资金一千万元。公司目前主要生产:大功率整流装置、大功率直流电源、高频开关电源、可控硅整流电源、周期换向电源、电镀脉冲电源、电泳涂漆电源、十二相低纹波电源、硬质氧化脉冲电源、大功率电解电源、铝型材氧化、着色电源、单晶炉加热电源、铝箔化成电源、铝箔腐蚀电源、硅整流电源、蓄电池充电器、蓄电池充电机、充电电源,公司产品广泛应用于电化学、冶炼、材料表面处理、环保水处理、通讯、太阳能光伏、电动汽车充电及各类充电领域,同时在航天、航空、钢铁、铜箔、汽车、电子、铝材、机械、稀土、、气体、兵器工业、太阳能光伏行业得到广泛的应用!

ud波形为非正弦波,其幅值为半波整流的两倍,比值Ud/U,I/Id和cosψ随α的变化数值见表2,(1)当α相同时,全波的输出直流电压比半波的大一倍。(2)在α和Id相同时,全波的电流有效值比半波的减小倍。(3)α相同时,全波的功率因数比半波的提高了倍。电阻性负载,id波形与ud波形相似,因为可控硅T与负载电阻Rd串联,所以id=id。可控硅T承受的正向电压随控制角α而变化,但它承受的反向电压总是负半波电压,负半波电压的***值为U2。线路简单,多用在要求不高的电阻负载的场合。(2)感性负载(不带续流二极管,电机电器的电磁线圈、带电感滤波的电阻负载等均属于电感性负载。电感具有障碍电流变化的作用可控硅T导通时。

广东双核电气有限公司是专业的节能开关电源、整流设备制造企业,生产全球***功率得整流设备,同时高频系列也是全球一代智能+节能型高频开关电源,是根据目前行业特性及参数要求研制而出,号召国家节能环保的要求与方向。如:从整流器的功率大小因素,整流器输出效率,以及整流器对多个行业(如氧化,电镀,电解,加热工艺)工艺的品质和效果保证方面推出一代智能+节能型高频整流器。经过反复实践的测试和数据分析,该系列电源能满足并在某种程度改善产品质量和稳定性,对工艺有较好的促进作用,大大提高行业工艺需求。同时在能耗和效率方面比传统的可控硅整流器有很大的节能优势(节能率在:10%-35%)和提高生产效率优势。大大的提高企业生产效率和为企业节省费用,完全符合国家的节能减排清洁生产的要求,不但能降低运行成本。我司产品市场覆盖面广如:铝型材氧化工艺、电镀工艺、电解工艺、加热工艺、老化行业、测试行业等多个行业。

整流主电路按接线方式分:A.双反星带平衡电抗;B.三相桥式或同相逆并联双反星带平衡电抗器;C.同相逆并联三相桥式;D.六相双反星型电路E十二相双反星带平衡电抗器,功率元件采用大功率晶闸管。整流变压器采用0.27或0.35mm高导磁率,无向冷轧硅钢片,设计成五柱三相输入,初次级用电阻率低的无氧紫铜线绕制;主变压器采用两次真空浸漆、烘干,使其安全系数和稳定性得到有效的保障。冷却方式分为自冷户外式、风冷、水冷、油浸水冷等可按工艺要求选择。具有周期换向、正向、反向三种可选工作状态,正负极切换时间、电压、电流调节可任意设定,可自动更换输出电流的极性,有利于增加镀层的硬度、致密度与光亮度。三相集成触发控制板采用日本技术。

整流器造成二次设备误动、损坏、甚至有的设备无常工作。而改造后的智能高频开关电源纹波系数很小,输出特别稳定。2)原来的相控电源采用硅堆调压,硅降压响应速度慢,反应时间为几十毫秒,输入电压突变时在输出上会产生很大的冲击,因冲击不稳定而易烧坏二次设备。而改造后的高频开关电源采用无级调压方式,响应速度快,输入电压突变时,模块在200μs内调整完成,过冲小于5%。3)原来的相控电源充电机、浮充机等噪音较大,且无降温措施,有的变电站浮充机发热严重。而改造后的智能高频开关电源噪音小,模块采用优质风机降温,保证了模块元器件正常工作,使值班人员的工作环境大大改善。4)原来用的是铅酸电池或镉镍电池,既需要专门设置蓄电池工进行维护、保养。

对于整流器来说,在室温下,阳极加正向电压为直流6V时,使可控硅由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流,称为控制极触发电压和触发电流。VG一般为3.5~5V,IG约为几十至几百毫安。实际应用时,加到控制极的触发电压和触发电流应比额定值稍微大点,以保证可靠触发。可控硅阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流,此电流可能导致可控硅误导通,因此对管子的***正向电压上升率必须加以限制,一般采用阻容吸收元件并联在可控硅两端的办法加以限制。可控硅开通时电流是从靠近门极区的阴极开始导通然后逐渐扩展到整个阴极区直至全部导通,这个过程需要一定的时间,如阳极电流上升太快,使电流来不及扩展到整个管子的PN结面。

有效避免可控硅被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子,即引线要短。***采用无感电阻,以取得较好的保护效果。由于半导体器件体积小、热容量小,特别像可控硅这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当可控硅中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,最终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身可控硅损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。可控硅过电流保护方法最常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器尚未熔断之前可控硅已被烧坏;

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